西安佰人科技有限公司研發(fā)的半導體分立器件測試系統(tǒng)是國內(nèi)的可測試超大功率器件的產(chǎn)品。該系統(tǒng)充分吸收測試系統(tǒng)的特點，采用了的嵌入式計算機技術(shù)和優(yōu)化結(jié)構(gòu)技術(shù)、16位并行A/D和D/A技術(shù)、多級開爾文反饋技術(shù)、小信號精密測試技術(shù)以及現(xiàn)已申報國家技術(shù)發(fā)明的經(jīng)過驗證的功率源和陣列開關(guān)結(jié)構(gòu)技術(shù)，并選用優(yōu)質(zhì)材料制作。在系統(tǒng)設計、選材、工藝、制作、調(diào)試、校驗等諸多方面與國內(nèi)現(xiàn)有同類系統(tǒng)相比均有較大突破，從而大大提高了系統(tǒng)的技術(shù)性能和可靠性，保證了該系統(tǒng)各項技術(shù)性能指標處于、的地位。其主要特點是提供的測試電壓高，測試電流大，測試種類多且測試項目全。
a） 系統(tǒng)配置高。其中：
該系統(tǒng)高壓可配置2KV選件，可將產(chǎn)品陽-陰極、陽-控極截止態(tài)擊穿電壓測試范圍和測試漏電流電壓設置到2KV。
系統(tǒng)配置HCD大電流選件可將系統(tǒng)產(chǎn)品陽-陰極間通態(tài)參數(shù)測試電流范圍從50A擴展到400A；BR3500產(chǎn)品陽-陰極間通態(tài)參數(shù)測試電流范圍可從50A擴展到400A/500A/1000A/1250A
/2500A。
b） 測試種類多。BR2500能夠測試12大類品種；BR3500能夠測試19大類品種。
c） 測試項目全、精度高。系統(tǒng)配置HCD大電流選件可以完成大于50A全直流參數(shù)的智能化精密測試，測試的IGBT參數(shù)包括：ICES、BVCES、IGESF、IGESR、VGETH、VGEON、VCESAT、ICON、VF、GFS、rCE等全直流參數(shù), 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內(nèi)重復測試精度。
BR3500-2KV/200A半導體分立器件測試系統(tǒng)
1）主要技術(shù)參數(shù)
系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù)列表如下：
主極電壓 2000V
主極電流 200A
控制極電壓 20V
控制極電流 10A
電壓分辨率 1mV
電流分辨率 100pA
測試速度 5ms/參數(shù)
2）可測試器件種類
該系統(tǒng)是專為測試大功率半導體分立器件而設計。它具有十分豐富的編程軟件和強大的測試能力，能夠真實準確測試以下19個類型的半導體器件以及相關(guān)器件組成的組合器件、器件陣列：
1) 二極管 DIODE
2) 晶體管 TRANSISTOR（NPN型/PNP型）
3) 穩(wěn)壓（齊納）二極管 ZENER
4) 結(jié)型場效應管 J-FET （N-溝/P-溝，耗盡型/增強型）
5) MOS場效應管 POWER MOSFET（N-溝/P-溝）
6) 三端穩(wěn)壓器 REGULATOR（正電壓/負電壓，固定/可變）
7) 光電耦合器 OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型）
8) 可控硅整流器（普通晶閘管） SCR
9) 雙向可控硅 （雙向晶閘管） TRIAC
10) 絕緣柵雙極大功率晶體管 IGBT（NPN型/PNP型）
11) 光電邏輯器件 OPTO-LOGIC
12) 雙向觸發(fā)二極管 DIAC
13) 固態(tài)過壓保護器 SSOVP
14) 光電開關(guān)管 OPTO-SWITCH
15) 硅觸發(fā)開關(guān) STS
16) 繼電器 RELAY
17) 金屬氧化物壓變電阻 MOV
18) 壓變電阻 VARISTOR
19) 達林頓陣列 DARLINTON
更多詳細信息，請隨時聯(lián)系我們 sales
a） 系統(tǒng)配置高。其中：
該系統(tǒng)高壓可配置2KV選件，可將產(chǎn)品陽-陰極、陽-控極截止態(tài)擊穿電壓測試范圍和測試漏電流電壓設置到2KV。
系統(tǒng)配置HCD大電流選件可將系統(tǒng)產(chǎn)品陽-陰極間通態(tài)參數(shù)測試電流范圍從50A擴展到400A；BR3500產(chǎn)品陽-陰極間通態(tài)參數(shù)測試電流范圍可從50A擴展到400A/500A/1000A/1250A
/2500A。
b） 測試種類多。BR2500能夠測試12大類品種；BR3500能夠測試19大類品種。
c） 測試項目全、精度高。系統(tǒng)配置HCD大電流選件可以完成大于50A全直流參數(shù)的智能化精密測試，測試的IGBT參數(shù)包括：ICES、BVCES、IGESF、IGESR、VGETH、VGEON、VCESAT、ICON、VF、GFS、rCE等全直流參數(shù), 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內(nèi)重復測試精度。
BR3500-2KV/200A半導體分立器件測試系統(tǒng)
1）主要技術(shù)參數(shù)
系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù)列表如下：
主極電壓 2000V
主極電流 200A
控制極電壓 20V
控制極電流 10A
電壓分辨率 1mV
電流分辨率 100pA
測試速度 5ms/參數(shù)
2）可測試器件種類
該系統(tǒng)是專為測試大功率半導體分立器件而設計。它具有十分豐富的編程軟件和強大的測試能力，能夠真實準確測試以下19個類型的半導體器件以及相關(guān)器件組成的組合器件、器件陣列：
1) 二極管 DIODE
2) 晶體管 TRANSISTOR（NPN型/PNP型）
3) 穩(wěn)壓（齊納）二極管 ZENER
4) 結(jié)型場效應管 J-FET （N-溝/P-溝，耗盡型/增強型）
5) MOS場效應管 POWER MOSFET（N-溝/P-溝）
6) 三端穩(wěn)壓器 REGULATOR（正電壓/負電壓，固定/可變）
7) 光電耦合器 OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型）
8) 可控硅整流器（普通晶閘管） SCR
9) 雙向可控硅 （雙向晶閘管） TRIAC
10) 絕緣柵雙極大功率晶體管 IGBT（NPN型/PNP型）
11) 光電邏輯器件 OPTO-LOGIC
12) 雙向觸發(fā)二極管 DIAC
13) 固態(tài)過壓保護器 SSOVP
14) 光電開關(guān)管 OPTO-SWITCH
15) 硅觸發(fā)開關(guān) STS
16) 繼電器 RELAY
17) 金屬氧化物壓變電阻 MOV
18) 壓變電阻 VARISTOR
19) 達林頓陣列 DARLINTON
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