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未來5年下一代存儲器將加快進入市場

閱讀:932          發布時間:2019-8-12

人工智能與大數據對芯片的處理能力提出了越來越嚴苛的要求,芯片的運算能力和存儲能力正在成為瓶頸,這也是各家半導體公司競相開發新的硬件平臺、計算架構與設計路線,以期提升芯片性能的主要原因。MRAM、ReRAM 和 PCRAM 等下一代存儲器技術興起,便是芯片與系統設計人員致力研發的重要成果之一。

 

這些新型存儲器或者具有更快的存取速度,或者具有更高的耐用性,或者具有更小的裸片尺寸、成本和功耗,甚至有可能為未來存儲器內計算 (In-Memory Compute)的開發提供支撐。但是由于制造環節存在瓶頸,目前下一代存儲器的生產良率并不高,難以實現規模化量產成為市場主流,量少價高,以特殊應用為主。不過,近日記者參加了應用材料公司舉辦的媒體活動。其中介紹了應用材料公司推出的兩款用于下一代存儲器MRAM、ReRAM和PCRAM的沉積設備,對于提升下一代存儲器的規模量產能力有著極大的幫助。相信隨著更多相關設備的開發,未來3-5年當中,下一代存儲器有望加快進入市場。

 

材料工程助力下一代存儲器量產進程

 

應用材料公司是大的半導體設備公司,一直推動基于材料工程技術的創新與產業變革。材料工程學是半導體技術的基礎之一,新型材料的科學運用往往決定著半導體技術的進步。應用材料公司正是積極投入這一領域開發的公司之一。

 

應用材料中國公司技術官趙甘鳴表示,隨著摩爾定律的放緩,半導體產業正面臨全新的技術變革,需要層的材料工程技術的發展,提供強有力的支撐。為此,過去10年中應用材料公司每年平均用于研發的投入都超過10億美元,2018財年的研發投入更達到了20億美元,就是希望推動半導體技術的革新。

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